در این مقاله بر حسب سایز ترانزیستورها و بهره ی بازخورد اسیلاتور، نقطه هایی را پیدا می کنیم که بهره هسته فعال اسیلاتور در آنها بیشینه باشد. برای پیاده سازی بهره هسته فعال از یک ترانسفورماتور استفاده کرده ایم. این ترانسفورماتور را به شکلی در مدار قرار می دهیم که هم زمان، هم بهره لازم برای بازخورد نوسان ساز تامین گردد و هم قسمتی از خازن های پارازیتی حذف شوند. به این نحو در اسیلاتور کارکرد، رنج تنظیم و نویز فاز به ترتیب%۷۰ و ۵dB بهبود پیدا خواهد کرد و مشخص خواهد شد که در حالت عمومی با خطی سازی اسیلاتور در موج میلی متری می توانیم حتی کاهش بیشتری در نویز فاز داشته باشیم و براساس این موضوع اسیلاتور را تا جای ممکن خطی می کنیم. شبیه سازی ها برای اسیلاتور طراحی شده درفناوری CMOS - ۰/۱۸? m بعد از بدست آوردن پارامترهای پارازیتی Layout نشان می دهند که این اسیلاتور دارای نویزفاز -۸۹dB/Hz در آفست ۱MHz و پهنای باند قابل تنظیم ۱/۹GHzدر اطراف بسامد۵۷ GHz و توان خروج - ۱۰/۵ dBm می باشد.
عطائی آشتیانی, میلاد, & نبوی, عبدالرضا. (1390). تکنیک های جدید برای کاهش نویز فاز در اسیلاتورهای موج میلی متری میتنی بر خطی سازی مدار. فصلنامه صنایع الکترونیک, 2(2), 75-90.
MLA
میلاد عطائی آشتیانی; عبدالرضا نبوی. "تکنیک های جدید برای کاهش نویز فاز در اسیلاتورهای موج میلی متری میتنی بر خطی سازی مدار". فصلنامه صنایع الکترونیک, 2, 2, 1390, 75-90.
HARVARD
عطائی آشتیانی, میلاد, نبوی, عبدالرضا. (1390). 'تکنیک های جدید برای کاهش نویز فاز در اسیلاتورهای موج میلی متری میتنی بر خطی سازی مدار', فصلنامه صنایع الکترونیک, 2(2), pp. 75-90.
VANCOUVER
عطائی آشتیانی, میلاد, نبوی, عبدالرضا. تکنیک های جدید برای کاهش نویز فاز در اسیلاتورهای موج میلی متری میتنی بر خطی سازی مدار. فصلنامه صنایع الکترونیک, 1390; 2(2): 75-90.
)