خطای تک الکترونی در سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی

نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

1 گروه الکترونیک، واحد شهرقدس، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

2 دانشیار دانشکده مهندسی برق دانشگاه علم و صنعت ایران

3 مجتمع برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایران

چکیده

اتوماتای سلولی کوانتومی، کی فناوری نوظهور در عرصه نانو فناوری می باشد و پیش بینی میشودکه درصورت رفع مشکلاتی نظیر ساخت، سالهای آینده جایگزینی برای تکنولوژی CMOS باشد.
نقص های مختلفی ممکن است در سلول های اتوماتای سلولی کوانتومی حادث شوند. کیی از ایننقص ها، نقص تک الکترونی است که می تواند طی تولید یا عملکرد مدارات اتوماتای سلولی کوانتومیاتفاق افتد و منجر به ایجاد خطا در مدارات مبتنی بر این فناوری شود.بررسی این خطا از این جهتدر مدارات QCA حایز اهمیت است که نوع خطای ایجاد شده در این مدارات، با مدارات CMOSمتفاوت است. مدل سازی این خطا در سطح منطقی برای سیم باینری اتوماتای سلولی کوانتومی دراین مقاله ارائه شده است.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Single Electron Fault in QCA Binary Wire

نویسندگان [English]

  • Mojdeh Mahdavi 1
  • ستار میرزاکوچکی 2
  • Mohammad Amin Amiri 3
3 Faculty of Electrical and Computer Engineering, Malek Ashtar University of Technology, Tehran, Iran
چکیده [English]

Quantum Cellular Automata (QCA) represents an emerging technology at the nanotechnology level. There are various faults which may occur in QCA cells. One of these faults is the Single Electron Fault (SEF) that can happen during manufacturing or operation of QCA circuits. A detailed simulation based logic level modeling of Single Electron Fault for QCA binary wire is represented in this paper.

کلیدواژه‌ها [English]

  • Quantum Cellular Automata
  • Single Electron Fault
  • Binary Wire

فایل ها

سابقه مقاله

  • تاریخ دریافت: 02 دی 1398
  • تاریخ پذیرش: 02 دی 1398
  • تاریخ اولین انتشار: 02 دی 1398

اشتراک گذاری

ارجاع به این مقاله

آمار