طراحیLNA کم توان با استفاده از تکنیک gm-boosting برای کاربردهای فوق پهن باند

کیامهر, مهدی; یارقلی, مصطفی

طراحیLNA کم توان با استفاده از تکنیک gm-boosting برای کاربردهای فوق پهن باند

نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

¹ University of Zanjan, University Bl

² دانشگاه زنجان-دکتری الکترونیک

چکیده

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی کم نویز فوق پهن‌باند با استفاده از تکنیک gm-boosting و روش حذف نویز ارائه شده است. در این طراحی، طبقه‌ی گیت مشترک و تقویت کننده‌ی کمکی در ورودی به عنوان طبقه‌یgm-boosting و طبقه‌ی دوم به منظور افزایش بهره و حذف نویز استفاده شده‌است.

با توجه به بکارگیری همزمان Inductive Peaking سری و موازی در خروجی، پهنای باند و بهره این تقویت کننده بالاست به گونه‌ای که در بین کارهای پیشین، از مشخصات قابل قبولی برخوردار است. همچنین استفاده از فیلتر چبیچف در ورودی، باعث جذب خازن ورودی در فیلتر چبیچف شده در نتیجه S11 این تقویت کننده کمتر از -12dB در کل باند عبور است. علاوه بر این، کمترین عدد نویز این تقویت کننده 3.5dB است و با توجه به بکارگیری روش های Noise-Cancellation و gm‌‌-Boosting ضمن آن‌که میزان نویز در کل باند کاهش یافته، جریان و به تبع آن، توان مصرفی تقویت کننده هم پایین آمده است به‌طوری که توان مصرفی تنها 4.8mW در کل پهنای باند می‌باشد و عدد نویزتقویت کننده نیز کمتر از 5dB می‌باشد.این تقویت کننده در تکنولوژی 0.18µm CMOS طراحی شده است که نتایج حاصل از شبیه‌سازی؛ بهره‌ی ولتاژ17.5±1.5 dB در پهنای باند 2.212.2 GHz،

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Design of low power LNA by gm-boosting Technique for Ultra Wide band applications

نویسندگان [English]

mehdi kiamehr ¹
mostafa yargholi ²

¹ University of Zanjan, University Blv,

² Electrical &amp; Electronics Engineering , Faculty of Engineering, University of Zanjan, Zanjan, Iran

چکیده [English]

In this paper, a high-bandwidth low-noise amplifier using gm-Boosting technique and noise cancellation method is presented. In this design, the common gate and input auxiliary amplifier are used in the input stage as the gm-Boosting, and the second stage is used to improve the gain and eliminate noise. This amplifier is designed with a 0.18μm CMOS technology, simulation results illustrate the voltage gain of 17.5 ± 1.5 dB at 2.2 to 12.2 GHz bandwidth, s11

کلیدواژه‌ها [English]