نویسندگان
1 دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی
2 دانشگاه تربیت دبیر شهید رجائی
چکیده
کلیدواژهها
عنوان مقاله [English]
نویسندگان [English]
تداخلسنجهای سوپرهتروداین، روشی مناسب به منظور اندازهگیریهای دقیق در نانومترولوژی است. با توجه به کم بودن سطح سیگنالهای اندازهگیری و مبنا که از بخش نوری تداخلسنج سوپرهتروداین دریافت میشود، نیاز به مدارهایی برای آمادهسازی سیگنال است. در بخش آمادهسازی سیگنال، سیگنالهای دریافتی پس از تقویت شدن، در هم ضرب میشوند و به فرکانس پایینتر منتقل میشوند و برای اعمال به بخش اندازهگیری فاز آماده میشوند. در بخش اندازهگیری فاز، آشکارسازی فاز متناظر با جابهجایی هدف انجام میشود. در این مقاله، مدارهای بخش الکترونیک تداخلسنج سوپرهتروداین با فناوری CMOS 0.5µm طراحی، شبیهسازی و پیادهسازی شده است. این مدارها شامل تقویتکننده کم-نویز کاسکود، فیلتر میانگذر با پهنای باند معادل فرکانس تداخل اولیه، مخلوطکننده متعادل دوگانه، فیلتر پایینگذر برای استخراج سیگنال با فرکانس تداخل ثانویه و مدار آشکارساز فاز است. با توجه به نتایج طراحی و شبیهسازی، قطعات مناسب جهت پیادهسازی بخش الکترونیک انتخاب شدهاند. نتایج حاصل از این قطعات برای بخش آمادهسازی سیگنال عبارت است از: تقویتکننده با بهره dB41/19 و عددنویز dB7/2 و مخلوطکننده با محدوده RF/LO بین MHz2500-80، محدوده IF بین 1000DC- مگاهرتز و IIP3 برابر با dBm5/28. برای بخش اندازهگیرفاز مداری کم نویز بر اساس مبدل زمان به دیجیتال (TDC) با قابلیت تفکیکپذیری یک نانو ثانیه به منظور اندازهگیری اختلاف فاز متناظر با جابهجایی نانومتری طراحی و پیادهسازی شده است.
کلیدواژهها [English]
)