در این مقاله ترانزیستور نانو لوله کربنی با نواحی سورس و درین کمغلظت را با استفاده از روش توابع گرین غیرتعادلی در یک بعدشبیهسازی کردهایم.ترانزیستور نانولوله کربنی که در نزدیکی اتصالات سورس و درین آن نواحی کم غلظت در نظر گرفتهایم، اصطلاحاً ترانزیستور LDDS-CNTFET نامیده میشود. در بخشی از این مقاله تاثیر تغییر قطر نانولوله را بر روی رفتار این نوع ترانزیستور مورد بررسی قرار دادهایم. با اعمال این تغییرات مشاهده میشود که با افزایش قطر نانولوله جریان حالت روشن افزایش یافته ولی نسبت جریان حالت روشن به حالت خاموش کاهش یافته و زمان تأخیر افزاره نیز کاهش مییابد. همچنین با تغییر یاد شده حساسیت جریان نشتی و تأخیر و حاصلضرب توان در تأخیر افزاره همگی نسبت به میزان غلظت سورس و درین کاهش مییابد.
)