نویسندگان
1 دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی-دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر- استادیار گروه مهندسی الکترونیک
2 دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی-دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک
چکیده
کلیدواژهها
عنوان مقاله [English]
نویسندگان [English]
ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی بسیار کمی که ایجاد می کند در لینک های نوری برای خنثی کردن اثر ظرفیت پارازیتی حسگر های نوری در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی باند پهن مورد استفاده قرار می گیرد. در این مقاله پس از مطالعه و تحلیل ساختار RGC، یک ساختار بهبود یافته از آن ارائه می شود. این ساختار در تکنولوژی µm18/0 CMOS طراحی و با نرم افزار ADS شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند که این ساختار بهره dBΩ60 را در پهنای باند GHz9 ایجاد می کند. با چنین پهنای باندی می توان از این ساختار در سیستم های مخابرات نوری که براساس پروتکل 192SONET OC کار می کنند استفاده کرد. همین طور این نتایج نشان می دهند که در مقایسه با طراحی های مشابه ]2،3[، این ساختار حاصل ضرب بهره در پهنای باند بالاتری را فراهم می کند. به طوری که نیازی به طبقات بهره اضافه که معمولا در طراحی تقویت کننده های امپدانس انتقالی به دنبال ساختار RGC به کار گرفته می شوند نخواهد بود. بنابراین هم توان مصرفی و هم چگالی طیفی نوفه ارجاع شده به ورودی تقویت کننده کاهش خواهد یافت.
کلیدواژهها [English]
)